RV8L002SNHZGG2CR规格参数_rv8l002snhzgg2cr现货热销【斯普仑】

RV8L002SNHZGG2CR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W

5776 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RV8L002SNHZGG2CR，现有足量库存。RV8L002SNHZGG2CR的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供RV8L002SNHZGG2CR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RV8L002SNHZGG2CR的详细使用方法及教程。

RV8L002SNHZGG2CR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RV8L002SNHZGG2CR
描述	MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
制造商	Rohm Semiconductor
库存	5776
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	15 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN1010-3W
封装/外壳	3-XFDFN

RV8L002SNHZGG2CR

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