PXN6R2-25QLJ规格参数_pxn6r2-25qlj现货热销【斯普仑】

PXN6R2-25QLJ

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33

9656 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PXN6R2-25QLJ，现有足量库存。PXN6R2-25QLJ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供PXN6R2-25QLJ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PXN6R2-25QLJ的详细使用方法及教程。

PXN6R2-25QLJ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PXN6R2-25QLJ
描述	PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	9656
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	13.1A（Ta），65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6.2 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1200 pF @ 12.5 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.7W（Ta），40.3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MLPAK33
封装/外壳	8-PowerVDFN

PXN6R2-25QLJ

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