DMG4800LFG-7规格参数_dmg4800lfg-7现货热销【斯普仑】

DMG4800LFG-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerUDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

6251 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMG4800LFG-7，现有足量库存。DMG4800LFG-7的封装/规格参数为:8-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供DMG4800LFG-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMG4800LFG-7的详细使用方法及教程。

DMG4800LFG-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMG4800LFG-7
描述	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	6251
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.44A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	17 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.47 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	798 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	940mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN3030-8
封装/外壳	8-PowerUDFN

DMG4800LFG-7

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