欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

SSM6J801R,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：6-SMD，扁平引线

描述：MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

2647 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J801R,LF，现有足量库存。SSM6J801R,LF的封装/规格参数为:6-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供SSM6J801R,LF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6J801R,LF的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J801R,LF，现有足量库存。SSM6J801R,LF的封装/规格参数为:6-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供SSM6J801R,LF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6J801R,LF的详细使用方法及教程。

SSM6J801R,LF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 SSM6J801R,LF
描述 MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 2647
系列 U-MOSVI
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 32.5 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） +6V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 840 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-TSOP-F
封装/外壳 6-SMD，扁平引线

猜您喜欢

Toshiba Semiconductor and Storage

G15

Toshiba Semiconductor and Storage

E3M0065090D

Toshiba Semiconductor and Storage

C2M0080170P

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPMF-1200-S080B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0160B

Toshiba Semiconductor and Storage

CPM2-1200-0080B

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/GFX

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK7Y25-80E/CX

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN7R6-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK761R5-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN8R5-108ESQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PSMN3R9-60XSQ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C1R3-40EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK951R8-40EQ

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT760EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

PMT200EN,115

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C5R3-100EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C3R8-80EJ

Toshiba Semiconductor and Storage

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”