SSM6J422TU,LXHF规格参数_ssm6j422tu,lxhf现货热销【斯普仑】

SSM6J422TU,LXHF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：6-SMD，扁平引线

描述：SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V

6107 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J422TU,LXHF，现有足量库存。SSM6J422TU,LXHF的封装/规格参数为:6-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供SSM6J422TU,LXHF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6J422TU,LXHF的详细使用方法及教程。

SSM6J422TU,LXHF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SSM6J422TU,LXHF
描述	SMOS P-CH VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	6107
系列	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	42.7 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	+6V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	840 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	UF6
封装/外壳	6-SMD，扁平引线

SSM6J422TU,LXHF

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心