欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

RV5A040APTCR1

制造商:Rohm Semiconductor

封装外壳:6-PowerWFDFN

描述:MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6

5331 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RV5A040APTCR1,现有足量库存。RV5A040APTCR1的封装/规格参数为:6-PowerWFDFN;同时斯普仑现货为您提供RV5A040APTCR1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有RV5A040APTCR1的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RV5A040APTCR1,现有足量库存。RV5A040APTCR1的封装/规格参数为:6-PowerWFDFN;同时斯普仑现货为您提供RV5A040APTCR1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有RV5A040APTCR1的详细使用方法及教程。

RV5A040APTCR1产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 RV5A040APTCR1
描述 MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
制造商 Rohm Semiconductor
库存 5331
系列 -
包装 卷带(TR)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 62 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) -8V, 0V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2000 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN1616-8S
封装/外壳 6-PowerWFDFN

为智能时代加速到来而付出“真芯”