欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

PMH850UPEH

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3

7542 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMH850UPEH，现有足量库存。PMH850UPEH的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供PMH850UPEH数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMH850UPEH的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMH850UPEH，现有足量库存。PMH850UPEH的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供PMH850UPEH数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMH850UPEH的详细使用方法及教程。

PMH850UPEH产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 PMH850UPEH
描述 MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
制造商 Nexperia USA Inc.
库存 7542
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1欧姆 @ 500mA，4，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 62.2 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 660mW（Ta），2，23W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN0606-3
封装/外壳 3-XFDFN

猜您喜欢

Nexperia USA Inc.

G15

Nexperia USA Inc.

E3M0065090D

Nexperia USA Inc.

C2M0080170P

Nexperia USA Inc.

CPMF-1200-S160B

Nexperia USA Inc.

CPMF-1200-S080B

Nexperia USA Inc.

CPM2-1200-0160B

Nexperia USA Inc.

CPM2-1200-0080B

Nexperia USA Inc.

BUK7Y25-80E/GFX

Nexperia USA Inc.

BUK7Y25-80E/CX

Nexperia USA Inc.

PSMN7R6-60XSQ

Nexperia USA Inc.

BUK761R5-40EJ

Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-108ESQ

Nexperia USA Inc.

PSMN3R9-60XSQ

Nexperia USA Inc.

BUK9C1R3-40EJ

Nexperia USA Inc.

BUK951R8-40EQ

Nexperia USA Inc.

PMT760EN,115

Nexperia USA Inc.

PMT200EN,115

Nexperia USA Inc.

BUK9C5R3-100EJ

Nexperia USA Inc.

BUK9C3R8-80EJ

Nexperia USA Inc.

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”