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VP2206N2

制造商:Microchip Technology

封装外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐

描述:MOSFET P-CH 60V 750MA TO39

3226 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的VP2206N2,现有足量库存。VP2206N2的封装/规格参数为:TO-205AD,TO-39-3 金属罐;同时斯普仑现货为您提供VP2206N2数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有VP2206N2的详细使用方法及教程。

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VP2206N2产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 VP2206N2
描述 MOSFET P-CH 60V 750MA TO39
制造商 Microchip Technology
库存 3226
系列 -
包装
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 750mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 450 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 360mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-39
封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐

为智能时代加速到来而付出“真芯”