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FDP4D5N10C

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3

2382 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDP4D5N10C，现有足量库存。FDP4D5N10C的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供FDP4D5N10C数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDP4D5N10C的详细使用方法及教程。

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FDP4D5N10C产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDP4D5N10C
描述 MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
制造商 onsemi
库存 2382
系列 PowerTrench®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 128A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 310µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 68 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5065 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），150W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3

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