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IMBG65R260M1HXTMA1

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:-

描述:SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

4511 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IMBG65R260M1HXTMA1,现有足量库存。IMBG65R260M1HXTMA1的封装/规格参数为:-;同时斯普仑现货为您提供IMBG65R260M1HXTMA1数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IMBG65R260M1HXTMA1的详细使用方法及教程。

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IMBG65R260M1HXTMA1产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IMBG65R260M1HXTMA1
描述 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
制造商 Infineon Technologies
库存 4511
系列 *
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 -
技术 -
漏源电压(Vdss) -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -
安装类型 -
供应商器件封装 -
封装/外壳 -

为智能时代加速到来而付出“真芯”