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TK155E65Z,S1X

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-220-3

描述：650V DTMOS VI TO-220 155MOHM

5993 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK155E65Z,S1X，现有足量库存。TK155E65Z,S1X的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供TK155E65Z,S1X数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK155E65Z,S1X的详细使用方法及教程。

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TK155E65Z,S1X产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK155E65Z,S1X
描述 650V DTMOS VI TO-220 155MOHM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 5993
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 155 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 29 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1635 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作温度 150°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3

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