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TK110U65Z,RQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerSFN

描述：DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ

5543 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK110U65Z,RQ，现有足量库存。TK110U65Z,RQ的封装/规格参数为:8-PowerSFN；同时斯普仑现货为您提供TK110U65Z,RQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK110U65Z,RQ的详细使用方法及教程。

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TK110U65Z,RQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK110U65Z,RQ
描述 DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 5543
系列 DTMOSVI
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 24A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 110 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1.02mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 40 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2250 pF @ 300 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TOLL
封装/外壳 8-PowerSFN

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