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制造商：Microchip Technology
封装外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
描述：MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的VP2206N3-G-P003，现有足量库存。VP2206N3-G-P003的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；同时斯普仑现货为您提供VP2206N3-G-P003数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VP2206N3-G-P003的详细使用方法及教程。
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| VP2206N3-G-P003产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | VP2206N3-G-P003 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 1411 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 640mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 740mW（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
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