SIDR500EP-T1-RE3规格参数_sidr500ep-t1-re3现货热销【斯普仑】

SIDR500EP-T1-RE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：PowerPAK® SO-8

描述：N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET

3757 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIDR500EP-T1-RE3，现有足量库存。SIDR500EP-T1-RE3的封装/规格参数为:PowerPAK® SO-8；同时斯普仑现货为您提供SIDR500EP-T1-RE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIDR500EP-T1-RE3的详细使用方法及教程。

SIDR500EP-T1-RE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIDR500EP-T1-RE3
描述	N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
库存	3757
系列	TrenchFET® Gen V
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	94A（Ta），421A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.47 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8960 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	7.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳	PowerPAK® SO-8

SIDR500EP-T1-RE3

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