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FCMT250N65S3

制造商：onsemi

封装外壳：4-PowerTSFN

描述：MOSFET N-CH 650V 12A POWER88

2549 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FCMT250N65S3，现有足量库存。FCMT250N65S3的封装/规格参数为:4-PowerTSFN；同时斯普仑现货为您提供FCMT250N65S3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FCMT250N65S3的详细使用方法及教程。

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FCMT250N65S3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FCMT250N65S3
描述 MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
制造商 onsemi
库存 2549
系列 SuperFET® III
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 250 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1010 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 90W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Power88
封装/外壳 4-PowerTSFN

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