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EPC2016C

制造商：EPC

封装外壳：模具

描述：GANFET N-CH 100V 18A DIE

1683 现货

斯普仑电子元件现货为您提供EPC设计生产的EPC2016C，现有足量库存。EPC2016C的封装/规格参数为:模具；同时斯普仑现货为您提供EPC2016C数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有EPC2016C的详细使用方法及教程。

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EPC2016C产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 EPC2016C
描述 GANFET N-CH 100V 18A DIE
制造商 EPC
库存 1683
系列 eGaN®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 16 毫欧 @ 11A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 4.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值） +6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 420 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具
封装/外壳 模具

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