CSD25202W15T规格参数_csd25202w15t现货热销【斯普仑】

CSD25202W15T

制造商：Texas Instruments

封装外壳：9-UFBGA，DSBGA

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

8836 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD25202W15T，现有足量库存。CSD25202W15T的封装/规格参数为:9-UFBGA，DSBGA；同时斯普仑现货为您提供CSD25202W15T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD25202W15T的详细使用方法及教程。

CSD25202W15T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CSD25202W15T
描述	MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
制造商	Texas Instruments
库存	8836
系列	NexFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	26 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1010 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	9-DSBGA
封装/外壳	9-UFBGA，DSBGA

CSD25202W15T

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