RJK03M3DPA-00#J5A规格参数_rjk03m3dpa-00#j5a现货热销【斯普仑】

RJK03M3DPA-00#J5A

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-WFDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK

4927 现货

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RJK03M3DPA-00#J5A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RJK03M3DPA-00#J5A
描述	MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	4927
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3010 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	35W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WPAK
封装/外壳	8-WFDFN 裸露焊盘

RJK03M3DPA-00#J5A

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