UPA2816T1S-E2-AT规格参数_upa2816t1s-e2-at现货热销【斯普仑】

UPA2816T1S-E2-AT

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON

3993 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的UPA2816T1S-E2-AT，现有足量库存。UPA2816T1S-E2-AT的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供UPA2816T1S-E2-AT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UPA2816T1S-E2-AT的详细使用方法及教程。

UPA2816T1S-E2-AT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	UPA2816T1S-E2-AT
描述	MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	3993
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	15.5 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+20V，-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1160 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.5W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HWSON（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

UPA2816T1S-E2-AT

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