RJK03M5DNS-00#J5规格参数_rjk03m5dns-00#j5现货热销【斯普仑】

RJK03M5DNS-00#J5

制造商：Renesas Electronics America Inc

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

1358 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的RJK03M5DNS-00#J5，现有足量库存。RJK03M5DNS-00#J5的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供RJK03M5DNS-00#J5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RJK03M5DNS-00#J5的详细使用方法及教程。

RJK03M5DNS-00#J5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RJK03M5DNS-00#J5
描述	MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON
制造商	Renesas Electronics America Inc
库存	1358
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6.3 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1890 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	15W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HWSON（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

RJK03M5DNS-00#J5

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