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制造商：Panjit International Inc.
封装外壳：8-PowerVDFN
描述：40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJQ4446P-AU_R2_000A1，现有足量库存。PJQ4446P-AU_R2_000A1的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供PJQ4446P-AU_R2_000A1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJQ4446P-AU_R2_000A1的详细使用方法及教程。
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| PJQ4446P-AU_R2_000A1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | PJQ4446P-AU_R2_000A1 |
| 描述 | 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M |
| 制造商 | Panjit International Inc. |
| 库存 | 5142 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.5A（Ta），48A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1258 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DFN3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
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