NTNS2K1P021ZTCG规格参数_ntns2k1p021ztcg现货热销【斯普仑】

NTNS2K1P021ZTCG

制造商：onsemi

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN

9089 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTNS2K1P021ZTCG，现有足量库存。NTNS2K1P021ZTCG的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供NTNS2K1P021ZTCG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTNS2K1P021ZTCG的详细使用方法及教程。

NTNS2K1P021ZTCG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTNS2K1P021ZTCG
描述	MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN
制造商	onsemi
库存	9089
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	127mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	12800 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-XDFN（0.42x0.62）
封装/外壳	3-XFDFN

NTNS2K1P021ZTCG

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