TSM60NB041PW C1G规格参数_tsm60nb041pw c1g现货热销【斯普仑】

TSM60NB041PW C1G

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

8121 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM60NB041PW C1G，现有足量库存。TSM60NB041PW C1G的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供TSM60NB041PW C1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM60NB041PW C1G的详细使用方法及教程。

TSM60NB041PW C1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TSM60NB041PW C1G
描述	MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
库存	8121
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	41 毫欧 @ 21.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6120 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	446W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247
封装/外壳	TO-247-3

TSM60NB041PW C1G

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