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R6009ENX

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

1531 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的R6009ENX，现有足量库存。R6009ENX的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供R6009ENX数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有R6009ENX的详细使用方法及教程。

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R6009ENX产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 R6009ENX
描述 MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
制造商 Rohm Semiconductor
库存 1531
系列 -
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 535 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 430 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FM
封装/外壳 TO-220-3 整包

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