CSD17579Q3AT规格参数_csd17579q3at现货热销【斯普仑】

CSD17579Q3AT

制造商：Texas Instruments

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

4212 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD17579Q3AT，现有足量库存。CSD17579Q3AT的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD17579Q3AT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD17579Q3AT的详细使用方法及教程。

CSD17579Q3AT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CSD17579Q3AT
描述	MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
制造商	Texas Instruments
库存	4212
系列	NexFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10.2 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	998 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），29W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-VSONP（3x3.3）
封装/外壳	8-PowerVDFN

CSD17579Q3AT

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