SI3407DV-T1-BE3规格参数_si3407dv-t1-be3现货热销【斯普仑】

SI3407DV-T1-BE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP

1803 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI3407DV-T1-BE3，现有足量库存。SI3407DV-T1-BE3的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供SI3407DV-T1-BE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI3407DV-T1-BE3的详细使用方法及教程。

SI3407DV-T1-BE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI3407DV-T1-BE3
描述	MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
制造商	Vishay Siliconix
库存	1803
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.5A（Ta），8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 毫欧 @ 7.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1670 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），4.2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-TSOP
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

SI3407DV-T1-BE3

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