TPH3205WSBQA规格参数_tph3205wsbqa现货热销【斯普仑】

制造商：Transphorm

封装外壳：TO-247-3

描述：GANFET N-CH 650V 35A TO247-3

3587 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TPH3205WSBQA，现有足量库存。TPH3205WSBQA的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供TPH3205WSBQA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH3205WSBQA的详细使用方法及教程。

TPH3205WSBQA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPH3205WSBQA
描述	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
制造商	Transphorm
库存	3587
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	62 毫欧 @ 22A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.6V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	42 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2200 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-247-3
封装/外壳	TO-247-3