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GAN063-650WSAQ

制造商:Nexperia USA Inc.

封装外壳:TO-247-3

描述:GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

7551 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的GAN063-650WSAQ,现有足量库存。GAN063-650WSAQ的封装/规格参数为:TO-247-3;同时斯普仑现货为您提供GAN063-650WSAQ数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有GAN063-650WSAQ的详细使用方法及教程。

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GAN063-650WSAQ产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 GAN063-650WSAQ
描述 GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
制造商 Nexperia USA Inc.
库存 7551
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1000 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 143W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”