IPAN60R125PFD7SXKSA1规格参数_ipan60r125pfd7sxksa1现货热销【斯普仑】

IPAN60R125PFD7SXKSA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 650V 25A TO220

1804 现货

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IPAN60R125PFD7SXKSA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPAN60R125PFD7SXKSA1
描述	MOSFET N-CH 650V 25A TO220
制造商	Infineon Technologies
库存	1804
系列	CoolMOS™PFD7
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	125 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 390µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1503 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	32W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO220-FP
封装/外壳	TO-220-3 整包

IPAN60R125PFD7SXKSA1

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