STP25N60M2-EP规格参数_stp25n60m2-ep现货热销【斯普仑】

STP25N60M2-EP

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 600V 18A TO220

5042 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STP25N60M2-EP，现有足量库存。STP25N60M2-EP的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供STP25N60M2-EP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STP25N60M2-EP的详细使用方法及教程。

STP25N60M2-EP产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STP25N60M2-EP
描述	MOSFET N-CH 600V 18A TO220
制造商	STMicroelectronics
库存	5042
系列	MDmesh™ M2-EP
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	188 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1090 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220
封装/外壳	TO-220-3

STP25N60M2-EP

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