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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK200F04N1L,LXGQ，现有足量库存。TK200F04N1L,LXGQ的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供TK200F04N1L,LXGQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK200F04N1L,LXGQ的详细使用方法及教程。
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| TK200F04N1L,LXGQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TK200F04N1L,LXGQ |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 7766 |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 0.9 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 214 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14920 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-220SM（W） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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