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CSD22206WT

制造商：Texas Instruments

封装外壳：9-UFBGA，DSBGA

描述：MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA

5908 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD22206WT，现有足量库存。CSD22206WT的封装/规格参数为:9-UFBGA，DSBGA；同时斯普仑现货为您提供CSD22206WT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD22206WT的详细使用方法及教程。

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CSD22206WT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD22206WT
描述 MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
制造商 Texas Instruments
库存 5908
系列 NexFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2275 pF @ 4 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 9-DSBGA
封装/外壳 9-UFBGA，DSBGA

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