BSC018NE2LSIATMA1规格参数_bsc018ne2lsiatma1现货热销【斯普仑】

BSC018NE2LSIATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON

3355 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSC018NE2LSIATMA1，现有足量库存。BSC018NE2LSIATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供BSC018NE2LSIATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSC018NE2LSIATMA1的详细使用方法及教程。

BSC018NE2LSIATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSC018NE2LSIATMA1
描述	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
制造商	Infineon Technologies
库存	3355
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	29A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2500 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8-6
封装/外壳	8-PowerTDFN

BSC018NE2LSIATMA1

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