IPN60R360PFD7SATMA1规格参数_ipn60r360pfd7satma1现货热销【斯普仑】

IPN60R360PFD7SATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-261-3

描述：MOSFET N-CH 650V 10A SOT223

6964 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPN60R360PFD7SATMA1，现有足量库存。IPN60R360PFD7SATMA1的封装/规格参数为:TO-261-3；同时斯普仑现货为您提供IPN60R360PFD7SATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IPN60R360PFD7SATMA1的详细使用方法及教程。

IPN60R360PFD7SATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IPN60R360PFD7SATMA1
描述	MOSFET N-CH 650V 10A SOT223
制造商	Infineon Technologies
库存	6964
系列	CoolMOS™PFD7
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	360 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	534 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	7W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT223-3-1
封装/外壳	TO-261-3

IPN60R360PFD7SATMA1

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