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CSD13383F4T

制造商：Texas Instruments

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR

2547 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD13383F4T，现有足量库存。CSD13383F4T的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD13383F4T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD13383F4T的详细使用方法及教程。

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CSD13383F4T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD13383F4T
描述 MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
制造商 Texas Instruments
库存 2547
系列 FemtoFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 44 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 291 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN

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