RF4E100AJTCR规格参数_rf4e100ajtcr现货热销【斯普仑】

RF4E100AJTCR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-PowerUDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8

7933 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RF4E100AJTCR，现有足量库存。RF4E100AJTCR的封装/规格参数为:8-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供RF4E100AJTCR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RF4E100AJTCR的详细使用方法及教程。

RF4E100AJTCR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RF4E100AJTCR
描述	MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
制造商	Rohm Semiconductor
库存	7933
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12.4 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1460 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	HUML2020L8
封装/外壳	8-PowerUDFN

RF4E100AJTCR

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