SI8499DB-T2-E1规格参数_si8499db-t2-e1现货热销【斯普仑】

SI8499DB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：6-UFBGA

描述：MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT

4249 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI8499DB-T2-E1，现有足量库存。SI8499DB-T2-E1的封装/规格参数为:6-UFBGA；同时斯普仑现货为您提供SI8499DB-T2-E1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI8499DB-T2-E1的详细使用方法及教程。

SI8499DB-T2-E1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI8499DB-T2-E1
描述	MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
制造商	Vishay Siliconix
库存	4249
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	32 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1300 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.77W（Ta），13W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-Micro Foot™（1.5x1）
封装/外壳	6-UFBGA

SI8499DB-T2-E1

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心