PXP1500-100QSJ规格参数_pxp1500-100qsj现货热销【斯普仑】

PXP1500-100QSJ

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33

9002 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PXP1500-100QSJ，现有足量库存。PXP1500-100QSJ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供PXP1500-100QSJ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PXP1500-100QSJ的详细使用方法及教程。

PXP1500-100QSJ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PXP1500-100QSJ
描述	MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	9002
系列	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	700mA（Ta），1.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.5 欧姆 @ 700mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	159 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.7W（Ta），16.2W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MLPAK33
封装/外壳	8-PowerVDFN

PXP1500-100QSJ

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