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CSD13302W

制造商：Texas Instruments

封装外壳：4-UFBGA，DSBGA

描述：MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

1715 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD13302W，现有足量库存。CSD13302W的封装/规格参数为:4-UFBGA，DSBGA；同时斯普仑现货为您提供CSD13302W数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD13302W的详细使用方法及教程。

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CSD13302W产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD13302W
描述 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
制造商 Texas Instruments
库存 1715
系列 NexFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 17.1m옴 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 862 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-DSBGA（1x1）
封装/外壳 4-UFBGA，DSBGA

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