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CSD23280F3

制造商:Texas Instruments

封装外壳:3-XFDFN

描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR

9047 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD23280F3,现有足量库存。CSD23280F3的封装/规格参数为:3-XFDFN;同时斯普仑现货为您提供CSD23280F3数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有CSD23280F3的详细使用方法及教程。

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CSD23280F3产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 CSD23280F3
描述 MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR
制造商 Texas Instruments
库存 9047
系列 FemtoFET™
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 116 毫欧 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 0.95V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.23 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 234 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN

为智能时代加速到来而付出“真芯”