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TW015N120C,S1F

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-247-3

描述：G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO

5463 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TW015N120C,S1F，现有足量库存。TW015N120C,S1F的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供TW015N120C,S1F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TW015N120C,S1F的详细使用方法及教程。

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TW015N120C,S1F产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TW015N120C,S1F
描述 G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 5463
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 11.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 158 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6000 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 431W（Tc）
工作温度 175°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3

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