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TP65H015G5WS

制造商：Transphorm

封装外壳：TO-247-3

描述：650 V 95 A GAN FET

1127 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TP65H015G5WS，现有足量库存。TP65H015G5WS的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供TP65H015G5WS数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TP65H015G5WS的详细使用方法及教程。

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TP65H015G5WS产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TP65H015G5WS
描述 650 V 95 A GAN FET
制造商 Transphorm
库存 1127
系列 SuperGaN™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 93A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 18 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.8V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5218 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 266W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

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