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TW070J120B,S1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-3P-3，SC-65-3

描述：SICFET N-CH 1200V 36A TO3P

6069 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TW070J120B,S1Q，现有足量库存。TW070J120B,S1Q的封装/规格参数为:TO-3P-3，SC-65-3；同时斯普仑现货为您提供TW070J120B,S1Q数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TW070J120B,S1Q的详细使用方法及教程。

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TW070J120B,S1Q产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TW070J120B,S1Q
描述 SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 6069
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 90 毫欧 @ 18A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.8V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 67 nC @ 20 V
Vgs（最大值） ±25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1680 pF @ 800 V
FET 功能 标准
功率耗散（最大值） 272W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3P（N）
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

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