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TP90H050WS

制造商：Transphorm

封装外壳：TO-247-3

描述：GANFET N-CH 900V 34A TO247-3

5825 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TP90H050WS，现有足量库存。TP90H050WS的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供TP90H050WS数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TP90H050WS的详细使用方法及教程。

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TP90H050WS产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TP90H050WS
描述 GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
制造商 Transphorm
库存 5825
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss） 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 63 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.4V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 17.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 980 pF @ 600 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 119W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

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