TP65H070LSG-TR规格参数_tp65h070lsg-tr现货热销【斯普仑】

TP65H070LSG-TR

制造商：Transphorm

封装外壳：3-PowerDFN

描述：GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

4084 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Transphorm设计生产的TP65H070LSG-TR，现有足量库存。TP65H070LSG-TR的封装/规格参数为:3-PowerDFN；同时斯普仑现货为您提供TP65H070LSG-TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TP65H070LSG-TR的详细使用方法及教程。

TP65H070LSG-TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TP65H070LSG-TR
描述	GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
制造商	Transphorm
库存	4084
系列	TP65H070L
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	85 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	600 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	96W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	3-PQFN（8x8）
封装/外壳	3-PowerDFN

TP65H070LSG-TR

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