UF3C065040B3规格参数_uf3c065040b3现货热销【斯普仑】

UF3C065040B3

制造商：UnitedSiC

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 650V 41A TO263

6363 现货

斯普仑电子元件现货为您提供UnitedSiC设计生产的UF3C065040B3，现有足量库存。UF3C065040B3的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供UF3C065040B3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UF3C065040B3的详细使用方法及教程。

UF3C065040B3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	UF3C065040B3
描述	MOSFET N-CH 650V 41A TO263
制造商	UnitedSiC
库存	6363
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	-
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	52 毫欧 @ 30A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	51 nC @ 15 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1500 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	176W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2Pak）
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

UF3C065040B3

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