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IXTH1N200P3

制造商：IXYS

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 2000V 1A TO247

2958 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTH1N200P3，现有足量库存。IXTH1N200P3的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供IXTH1N200P3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTH1N200P3的详细使用方法及教程。

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IXTH1N200P3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXTH1N200P3
描述 MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
制造商 IXYS
库存 2958
系列 Polar P3™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 646 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247（IXTH）
封装/外壳 TO-247-3

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