SIHP100N60E-GE3规格参数_sihp100n60e-ge3现货热销【斯普仑】

SIHP100N60E-GE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB

5794 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SIHP100N60E-GE3，现有足量库存。SIHP100N60E-GE3的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供SIHP100N60E-GE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SIHP100N60E-GE3的详细使用方法及教程。

SIHP100N60E-GE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SIHP100N60E-GE3
描述	MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
制造商	Vishay Siliconix
库存	5794
系列	E
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	100 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1851 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

SIHP100N60E-GE3

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