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NTBGS1D5N06C

制造商：onsemi

封装外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

描述：POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267

9422 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTBGS1D5N06C，现有足量库存。NTBGS1D5N06C的封装/规格参数为:TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）；同时斯普仑现货为您提供NTBGS1D5N06C数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTBGS1D5N06C的详细使用方法及教程。

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NTBGS1D5N06C产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTBGS1D5N06C
描述 POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
制造商 onsemi
库存 9422
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Ta），267A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V，12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.55 毫欧 @ 64A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 318µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 78.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6250 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.7W（Ta），211W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK（TO-263）
封装/外壳 TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

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