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FQD10N20LTM

制造商：onsemi

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252

1525 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQD10N20LTM，现有足量库存。FQD10N20LTM的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供FQD10N20LTM数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQD10N20LTM的详细使用方法及教程。

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FQD10N20LTM产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FQD10N20LTM
描述 MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
制造商 onsemi
库存 1525
系列 QFET®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 17 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 830 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），51W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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